|
Микропередатчик с ЧМ на транзисторе
Схема микропередатчика, выполненного на транзисторе, приведена на рис.
Модулирующее напряжение, снимаемое с электретного микрофона МКЭ-3
(МКЭ-333, МКЭ-389, М1-А2 "Сосна"), через конденсатор С1 поступает на
базу транзистора VT1, на котором выполнен задающий генератор. Так как
управляющее напряжение приложено к базе транзистора VT1, то, изменяя
напряжение смещения на переходе база-эмиттер, и, соответственно,
емкость цепи база-эмиттер, которая является одной из составных частей
колебательного контура задающего генератора, осуществляется частотная
модуляция передатчика. Этот контур включает в себя также катушку
индуктивности L1, расположенную по высокой частоте между базой
транзистора VT1 и массой, и конденсаторами СЗ и С4. Емкость
конденсатора С4 позволяет регулировать уровень возбуждения. Во
избежание влияния шунтирующего резистора R2 в цепи эмиттера
транзистора VT1 на колебательный контур, которое может вызвать
чрезмерное расширение полосы частот резонансной кривой,
последовательно с резистором R2 включен дроссель Др1, блокирующий
прохождение токов высокой частоты. Индуктивность этого дросселя должна
быть около 20 мкГн. Катушка L1 бескаркасная, диаметром 3 мм намотана
проводом ПЭВ 0,35 и содержит 7-8 витков.
Для получения максимально возможной мощности необходимо правильно
выбрать генерирующий элемент (транзистор VT1) и установить оптимальный
режим работы генератора. Для этого необходимо применять транзисторы,
верхняя граничная частота которых должна превышать рабочую частоту
генератора не менее чем в 7-8 раз. Этому условию наиболее полно
отвечают транзисторы типа n-p-n KT368, хотя можно использовать и более
распространенные транзисторы КТ315 или КТ3102.
|